מספר מוצר של יצרן:
TSM80N1R2CL C0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM80N1R2CL C0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262S (I2PAK)
מלאי:
12895522
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM80N1R2CL C0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
685 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262S (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Short Leads, I2PAK
מספר מוצר בסיסי
TSM80
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM80N1R2CL C0G-DG
TSM80N1R2CLC0G
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMTH4008LFDFWQ-7
MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
DMTH10H025LPS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
DMTH6010SPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
